Características: ● Diseñado para aplicaciones de corto o largo alcance● Fotodiodo PIN de InGaAs● Fuente de alimentación única de +3,3 V● Dispositivo láser MQW FP
Características: ● Láser DFB de 1xx0 nm de alta estabilidad ● Fotodiodo PIN de InGaAs ● Fuente de alimentación única de +3,3 V Aplicaciones: ● Sistemas de comunicación óptica.