Características: ● Diseñado para aplicaciones de corto o largo alcance ● Fotodiodo InGaAs ● WDM integrado de 1610/1550 nm para una sola fibra ● Dispositivo láser MQW DFB
Características: ● Diseñado para aplicaciones de corto o largo alcance● Fotodiodo PIN de InGaAs● Fuente de alimentación única de +3,3 V● Dispositivo láser MQW FP
Características: ● Láser DFB de 1270 nm de alta estabilidad● Fotodiodo de monitorización GaInAs/InP incorporado● Umbral bajo● Alta confiabilidad● APD+TIA 10.3125G de alta sensibilidad● Receptáculo SCAplicaciones: ● Sistema de comunicación óptica
Características: ● Láser DFB de 1xx0 nm de alta estabilidad ● Fotodiodo PIN de InGaAs ● Fuente de alimentación única de +3,3 V Aplicaciones: ● Sistemas de comunicación óptica.
Características: ● Diseñado para aplicaciones de corto o largo alcance● Fotodiodo InGaAs● WDM integrado de 1610/1550 nm para una sola fibra● Dispositivo láser MQW DFB